[发明专利]具有耗尽层的玻璃和构造于其上的多晶硅TFT有效
| 申请号： | 201480024271.9 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105164795B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 庄大可;顾云峰;R·G·曼利 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 乐洪咏;沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对显示器玻璃基板进行化学处理的方法，包括用含HCl的热溶液处理玻璃基板的至少一个表面，在玻璃基板的表面处和表面下方形成耗尽层。本公开内容还涉及含有通过所揭示的方法制备的耗尽层的显示器玻璃基板。此外，本公开内容涉及在这些显示器玻璃基板上制备薄膜晶体管(“TFT”)的方法，包括在经过化学处理的玻璃基板表面上直接沉积Si层，然后对Si层进行退火，形成多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耗尽 玻璃 构造 多晶 tft | ||
【主权项】：
一种对玻璃基板的表面层进行化学处理的方法，所述方法包括：使所述基板的至少一个表面在一种温度下与包含HCl的热溶液接触一段时间，所述温度和时间足以从所述玻璃基板的表面和表面下方浸出至少一种元素；以及其中所述玻璃基板的表面粗糙度在该接触步骤之前和之后基本上相同。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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