[发明专利]电子组件和制造电子组件的方法有效
| 申请号： | 201480025065.X | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105164798B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | T.戈特瓦尔德;A.诺伊曼 | 申请（专利权）人： | 施韦策电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/538;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 德国施*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子组件(36)，具有至少一个嵌入层序列中的电子元件(14)，其中，所述电子元件(14)布置在导电中心层(16)的凹槽中，并且在两面直接邻接相应的树脂层(12,20)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子组件(36,40)的方法，具有如下步骤：‑制备导电的起始基板(10)，‑在起始基板上铺设由电绝缘层材料构成的第一层(12)，‑在所述第一层(12)上安装至少一个元件(14；42,44)，‑在所述第一层(12)上敷设具有至少一个凹槽(18,18`)的第一导电层(16)，其中，针对所述至少一个元件(14；42,44)设计所述至少一个凹槽(18,18`)的布置和尺寸以使所述至少一个元件安装在所述至少一个凹槽(18,18`)中，‑在所述至少一个元件(14；42,44)和所述第一导电层(16)上施加由电绝缘材料构成的第二层(20)和至少一个第二导电层(22)，以及‑压合所产生的层序列(24)，其中，在安装至少一个元件(14；42,44)的步骤之后进行敷设第一导电层(16)的步骤，其中，在进行安装的时刻，所述至少一个元件(14；42,44)具有升高的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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