[发明专利]静电放电二极管有效
| 申请号： | 201480025342.7 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105190888B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | V·拉马钱德兰;B·M·亨德森;S·顾;C-G·谭;J·P·金;T·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/48;H01L23/60;H01L25/065;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括使基板的背侧变薄以暴露在该基板中形成的第一通孔的一部分。该方法还包括在该基板的背侧形成第一二极管。第一二极管被耦合至第一通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 二极管 | ||
【主权项】：
一种制造器件的方法，所述方法包括：使所述器件的基板的背侧变薄以暴露在所述基板中形成的第一通孔的一部分和第二通孔的一部分；在所述基板的背侧形成第一二极管，其中所述第一二极管耦合至所述第一通孔；形成所述器件的层，所述层与所述基板分开；以及形成包括半导体材料的第二二极管，所述第二二极管形成在所述第二通孔上，所述层位于所述第二二极管与所述基板的所述背侧之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
