[发明专利]离子注入组合物、系统和方法有效
| 申请号： | 201480025344.6 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105453225B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | O·比尔;J·D·斯威尼;唐瀛;R·S·雷 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。 | ||
| 搜索关键词： | 注入系统 离子 方法描述 掺杂物 均匀性 硒掺杂 源组合 束流 | ||
【主权项】：
1.一种注入硒的方法，所述硒来自作为掺杂物的包含硒的原料气体，所述方法包括使原料气体与抵制离子源故障模式的并流气体一起流至注入机，所述离子源故障模式为以下至少一种：(i)阴极的溅射，(ii)固体在绝缘表面上的沉积，(iii)固体积聚，引起不同电位的两个组件之间的短路，以及(iv)阴极上的固体积聚，其中掺杂物以其一种或多种同位素同位素富集至天然丰度以上，且其中所述并流气体包括至少一种选自以下的气体物质：H2；PH3；AsH3；CH4；GeH4；SiH4；H2Se；NH3；N2；O2；O3；H2O2；H2O；Cl2；HCl；CH2O；CO；CO2；惰性气体；以及含氟气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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