[发明专利]光声基底评估系统和方法有效
| 申请号： | 201480025735.8 | 申请日： | 2014-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105453243B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 托德·默里;曼朱莎·梅赫代尔;迈克尔·科特扬斯基;罗宾·迈尔;普里亚·穆昆汗 | 申请（专利权）人： | 鲁道夫技术公司;科罗拉多州立大学董事会法人团体 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种用于识别形成到基底中的结构的一个或多个特征的系统和方法。在所述基底中诱发表面声波和体声波并使其行进通过其中感测到所述声波的所感兴趣的结构。将与所述结构的一个或多个特征有关的信息编码在所述波中。对所编码的信息进行评估以确定所述所感兴趣的特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 评估 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对半导体装置上的表面下结构进行非破坏性地检验的方法，其包括：在半导体装置的外表面上的第一位置至少诱发表面声波，所述第一位置邻近至少部分嵌入在所述半导体装置的所述外表面下方的结构；利用探针激光器检测在半导体装置的所述外表面上的第二位置处所诱发的表面声波的影响，所述结构被至少部分地定位在所述第一位置与所述第二位置之间；测量所述表面声波从所述第一位置行进到所述第二位置所花费的时间，以及相对于所述结构在多个对应不同的第一位置和不同的第二位置处重复诱发、检测和测量步骤，以识别所述结构的至少一个特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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