[发明专利]用于制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201480025863.2 申请日: 2014-04-28
公开(公告)号: CN105164825B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: M.里希特 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/44
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;杜荔南
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种用于制造光电子器件(10)的方法包括如下步骤:提供衬底(100),该衬底(100)具有布置在所述衬底(100)的表面(101)上的光电子半导体芯片(200);提供具有下部层(310)和上部层(330)的掩膜(300),其中所述下部层(310)具有下部开口(320),而所述上部层(330)具有上部开口(340),所述开口共同地形成连续的掩膜开口(350),其中所述下部开口(320)具有比所述上部开口(340)大的面积;将所述掩膜(300)布置在所述衬底(100)的表面(101)之上,使得所述下部层(310)面向所述衬底(100)的表面(101)并且所述掩膜开口(350)被布置在所述光电子半导体芯片(200)之上;穿过所述掩膜开口(350)将涂层(400)喷涂到所述光电子半导体芯片(200)上;以及去除所述掩膜(300)。
搜索关键词: 用于 制造 光电子 器件 方法
【主权项】:
1.一种用于制造光电子器件(10)的方法,其包括如下步骤:‑ 提供衬底(100),该衬底(100)具有布置在所述衬底(100)的表面(101)上的光电子半导体芯片(200),其中将接合线(220)布置在所述光电子半导体芯片(200)与接触垫(110)之间,所述接触垫(110)被布置在所述衬底(100)的表面(101)上;‑ 提供具有下部层(310)和上部层(330)的掩膜(300),其中所述下部层(310)具有下部开口(320),而所述上部层(330)具有上部开口(340),所述开口共同地形成连续的掩膜开口(350),其中所述下部开口(320)具有比所述上部开口(340)大的面积;‑ 将所述掩膜(300)布置在所述衬底(100)的表面(101)之上,使得所述下部层(310)面向所述衬底(100)的表面(101)并且所述掩膜开口(350)被布置在所述光电子半导体芯片(200)之上;‑ 穿过所述掩膜开口(350)将层(400)喷涂到所述光电子半导体芯片(200)上;‑ 去除所述掩膜(300),其中,所述接合线(220)在垂直于所述衬底(100)的表面(101)的方向上至少部分地被所述掩膜(300)的上部层(330)覆盖。
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