[发明专利]具有超高载流子迁移率的石墨烯及其制备方法无效
| 申请号： | 201480025984.7 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105358482A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 亚历克·沃特克;俞鹤淇 | 申请（专利权）人： | 马克斯·普朗克科学促进学会 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭愿洁;彭家恩 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯膜，其由包括如下步骤的方法获得：a)提供衬底，b)在所述衬底的表面上外延生长金属层，c)可选地，通过在外延生长的金属层上生长金属来增加步骤b)中得到的金属层的厚度，d)从所述衬底剥离步骤b)或者可选地步骤c)中得到的金属层，e)在由步骤d)获得的金属层的至少一部分表面上沉积石墨烯，所述至少一部分表面在步骤d)进行剥离之前与所述衬底接触。这种石墨烯膜具有非常高的载流子迁移率，即，当于SiO2衬底上测量时，载流子迁移率大于11000cm2/V·sec，至少15000cm2/V·sec，至少20000cm2/V·sec，至少25000cm2/V·sec，或甚至至少30000cm2/V·sec。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超高 载流子 迁移率 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯膜，其特征在于，由包括如下步骤的方法获得：a) 提供衬底，b) 在所述衬底的表面上外延生长金属层，c) 可选地，通过在外延生长的金属层上生长金属来增加步骤b)中得到的金属层的厚度，d) 从所述衬底剥离步骤b)或者可选地步骤c)中得到的金属层，e) 在由步骤d)获得的金属层的至少一部分表面上沉积石墨烯，所述至少一部分表面在步骤d)进行剥离之前与所述衬底接触。
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