[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种具有即便进行微型化也能够较容易地制造且能够抑制起因于微型化的电特性下降的结构半导体装置以及其制造方法。在氧化物半导体层的顶面上形成源电极层及漏电极层。氧化物半导体层的侧面与源电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第一布线。此外，氧化物半导体层的侧面与漏电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第二布线。

主权项

1.一种半导体装置，包括：绝缘表面上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的栅电极层；以及所述绝缘表面、所述源电极层、所述漏电极层以及所述栅电极层上的绝缘层，其中，所述源电极层的侧面与所述第二氧化物半导体层的第一侧面直接接触于第一布线的表面，其中，所述漏电极层的侧面与所述第二氧化物半导体层的第二侧面直接接触于第二布线的表面，其中，所述第三氧化物半导体层的第一部分与所述源电极层直接接触，其中，所述第三氧化物半导体层的第二部分与所述漏电极层直接接触，其中，到达所述第二氧化物半导体层的第一部分及所述源电极层的一部分的第一开口位于所述绝缘层中，其中，到达所述第二氧化物半导体层的第二部分及所述漏电极层的一部分的第二开口位于所述绝缘层中，其中，到达所述栅电极层的一部分的第三开口位于所述绝缘层中，其中，在所述第一开口中，所述第二氧化物半导体层及所述源电极层电连接于所述第一布线，其中，在所述第二开口中，所述第二氧化物半导体层及所述漏电极层电连接于所述第二布线，并且其中，在所述第三开口中，所述栅电极层电连接于第三布线。