[发明专利]压电体薄膜及其制造方法有效
申请号: | 201480026406.5 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN105229810B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 勅使河原明彦;加纳一彦;秋山守人;西久保桂子 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装;独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01L41/316 | 分类号: | H01L41/316;C23C14/06;H01L41/187 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种压电体薄膜(1),其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子%以下。在压电体薄膜(1)的制造时,在至少含有氮气的气氛下,从碳原子含有率为5原子%以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外,也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外,也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此,能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 压电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种压电体薄膜,其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的压电体薄膜,其中,碳原子含有率为0.1原子%以上且2.5原子%以下。
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