[发明专利]沉积厚铜层至烧结材料上的方法有效
| 申请号： | 201480026427.7 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105189827B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·格勒登;赫尔科·根特;妮娜·丹布罗夫斯基;安东尼·麦考奈里;罗伯特·吕特尔 | 申请（专利权）人： | 埃托特克德国有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D5/54;H05K3/24;C25D3/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 吴润芝,郭国清 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电沉积厚铜层至导电烧结层上的方法。该厚铜层具有高粘附强度、低缺陷及内应力且具有高导电性及导热性。该位于该烧结层上的厚铜层适用于高功率电子应用中的印刷电路板。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 厚铜层至 烧结 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种电沉积至少一个铜层至导电烧结层上的方法，所述方法包括以下步骤：(i)提供至少一个导电烧结层，(i.a)预处理所述至少一个导电烧结层，(ii)使所述烧结层与电解镀铜溶液接触并在所述烧结层与至少一个阳极之间施加电流，及(iii)由此沉积铜层至所述烧结层上，其中所述烧结层的预处理包括步骤(i.aa)：(i.aa)使所述至少一个导电烧结层与包含硫酸溶液及至少一种作为氧化剂的过氧化合物的微蚀刻剂接触。
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