[发明专利]包含N,N,N＇,N＇‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物有效
| 申请号： | 201480026565.5 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105229098B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 兰永清;P·普日贝尔斯基;Z·包;J·普罗尔斯 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/04;C09G1/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 王丹丹,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含以下组分(A)在范围介于2至6的pH值下具有‑15mV或‑15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子，(B)N,N,N',N'‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸，(C)水，(D)任选一种或多种其他成分，其中组合物的pH值在2至6的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 羟基 丙基 乙二胺 甲磺酸 化学 机械抛光 组合 | ||
【主权项】：
化学机械抛光(CMP)组合物在抛光含有一种或多种III‑V族材料的基材或层中的用途，其中所述化学机械抛光(CMP)组合物包含以下组分：(A)在范围介于2至6的pH值下具有‑15mV或‑15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子，(B)N,N,N',N'‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸，(C)水，(D1)过氧化氢，其量基于CMP组合物的总重量为0.01至5重量％，(D)任选一种或多种其他成分，其中组合物的pH值在2至6的范围内，其中组分(A)的在范围介于2至6的pH值下具有‑15mV或‑15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子为经金属酸根离子进行阴离子改性或经磺酸改性的二氧化硅粒子。
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