[发明专利]可调节的质量分辨孔有效

专利信息
申请号: 201480027405.2 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN105247660B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: G·E·莱恩 申请(专利权)人: 格伦·莱恩家族有限责任有限合伙企业
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01J37/317
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 姜利芳;杨晓光
地址: 美国佛*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施例涉及质量分辨孔,其可用于离子注入系统中,该离子注入系统基于电荷质量比(和/或质量电荷比)选择性排除在离子束组件中不希望用于注入的离子种类。本发明的实施例涉及被分段、可调节和/或向将撞击孔的迎面而来的离子种类呈现弯曲表面的质量分辨孔。本发明的实施例还涉及通过封闭的等离子体通道(CPC)超导体或玻色子能量传输系统的带电粒子流的过滤。
搜索关键词: 质量分辨 离子注入系统 可调节 离子 超导体 等离子体通道 能量传输系统 带电粒子流 选择性排除 质量电荷比 弯曲表面 电荷 玻色子 离子束 质量比 可用 分段 过滤 封闭
【主权项】:
一种离子注入系统,包括:离子源,其被配置成生成具有沿着束线路传播的多种离子的离子束;质量分析仪,其被配置成生成将所述离子束内的离子中的每一种离子的轨迹弯曲的磁场,以使得具有第一质量电荷比的离子比具有第二质量电荷比的离子弯曲更多,其中所述第二质量电荷比与所述第一质量电荷比不同,其中所述离子中的每一种离子的所述轨迹位于相应的平面中;质量分辨孔(MRA),其中所述MRA具有开口;其中所述MRA被定位,以使得随着所述离子束接近所述MRA,在所述离子束中的离子的第一部分穿过所述开口,并且在所述离子束离开所述MRA之后处于所述离子束中,并且随着所述离子束接近所述MRA,所述MRA改变在所述离子束中的离子的第二部分的运动,以使得在所述离子束离开所述MRA之后所述离子的第二部分不处于所述离子束中,其中所述开口的边缘的至少一部分包括鳍片,其中所述鳍片具有前表面和后表面,其中随着所述离子束接近所述MRA,所述前表面的法线具有面向所述离子束的分量,以及随着所述离子束离开所述MRA,所述后表面的法线具有面向所述离子束的分量,其中所述鳍片具有在所述前表面上的引导部分,其具有与束路径的方向垂直的法线,其中所述前表面在远离所述开口的方向上远离所述引导部分弯曲,以形成与所述引导部分邻近的所述前表面的外凸部分以及与所述前表面的凸部分邻近的所述前表面的外凹部分。
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