[发明专利]可调节的质量分辨孔有效
申请号: | 201480027405.2 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN105247660B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | G·E·莱恩 | 申请(专利权)人: | 格伦·莱恩家族有限责任有限合伙企业 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 姜利芳;杨晓光 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例涉及质量分辨孔,其可用于离子注入系统中,该离子注入系统基于电荷质量比(和/或质量电荷比)选择性排除在离子束组件中不希望用于注入的离子种类。本发明的实施例涉及被分段、可调节和/或向将撞击孔的迎面而来的离子种类呈现弯曲表面的质量分辨孔。本发明的实施例还涉及通过封闭的等离子体通道(CPC)超导体或玻色子能量传输系统的带电粒子流的过滤。 | ||
搜索关键词: | 质量分辨 离子注入系统 可调节 离子 超导体 等离子体通道 能量传输系统 带电粒子流 选择性排除 质量电荷比 弯曲表面 电荷 玻色子 离子束 质量比 可用 分段 过滤 封闭 | ||
【主权项】:
一种离子注入系统,包括:离子源,其被配置成生成具有沿着束线路传播的多种离子的离子束;质量分析仪,其被配置成生成将所述离子束内的离子中的每一种离子的轨迹弯曲的磁场,以使得具有第一质量电荷比的离子比具有第二质量电荷比的离子弯曲更多,其中所述第二质量电荷比与所述第一质量电荷比不同,其中所述离子中的每一种离子的所述轨迹位于相应的平面中;质量分辨孔(MRA),其中所述MRA具有开口;其中所述MRA被定位,以使得随着所述离子束接近所述MRA,在所述离子束中的离子的第一部分穿过所述开口,并且在所述离子束离开所述MRA之后处于所述离子束中,并且随着所述离子束接近所述MRA,所述MRA改变在所述离子束中的离子的第二部分的运动,以使得在所述离子束离开所述MRA之后所述离子的第二部分不处于所述离子束中,其中所述开口的边缘的至少一部分包括鳍片,其中所述鳍片具有前表面和后表面,其中随着所述离子束接近所述MRA,所述前表面的法线具有面向所述离子束的分量,以及随着所述离子束离开所述MRA,所述后表面的法线具有面向所述离子束的分量,其中所述鳍片具有在所述前表面上的引导部分,其具有与束路径的方向垂直的法线,其中所述前表面在远离所述开口的方向上远离所述引导部分弯曲,以形成与所述引导部分邻近的所述前表面的外凸部分以及与所述前表面的凸部分邻近的所述前表面的外凹部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格伦·莱恩家族有限责任有限合伙企业,未经格伦·莱恩家族有限责任有限合伙企业许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480027405.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阀门
- 下一篇:电极、使用了该电极的双电层电容器以及电极的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造