[发明专利]光倍增管、图像传感器及使用PMT或图像传感器的检验系统

摘要

本发明揭示一种光倍增管，其包含半导体光电阴极及光电二极管。值得注意地，所述光电二极管包含：p掺杂型半导体层；n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上，以形成二极管；及纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上。在所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。所述半导体光电阴极可包含氮化镓，例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其它实施例中，所述半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上的纯硼涂层。

主权项

1.一种光倍增管，其包括：半导体光电阴极；及光电二极管，其包含：p掺杂型半导体层；n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上以形成二极管；及纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上,其中所述半导体光电阴极包括硅，且其中所述半导体光电阴极进一步包括在至少一个表面上的纯硼涂层。