[发明专利]用于铜后化学机械平坦化的含水清洗组合物

摘要

提供用于铜后化学机械平坦化的含水清洗组合物。所述组合物包含有机碱、铜蚀刻剂、有机配体、腐蚀抑制剂、及水，其中该有机碱的浓度为至少200ppm，该铜蚀刻剂的浓度为至少200ppm，该有机配体的浓度为至少50ppm，且该腐蚀抑制剂的浓度为至少10ppm。当用于铜后化学机械平坦化清洗程序时，所述含水清洗组合物可有效地从晶片表面去除残余污染物和降低晶片表面上的缺陷数，同时赋予晶片以更好的表面粗糙度。

主权项

1.用于铜后化学机械平坦化(post‑Cu CMP)的含水清洗组合物，其包含：有机碱；铜蚀刻剂；有机配体；腐蚀抑制剂，其为酰肼化合物；以及水；其中，该有机碱的浓度为至少200ppm，该铜蚀刻剂的浓度为至少200ppm，该有机配体的浓度为至少50ppm，且该腐蚀抑制剂的浓度为至少10ppm，其中该有机配体选自：膦酸、及膦酸与羧酸的组合，其中该膦酸选自：二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)(DTPMP)、2‑膦酰基丁烷‑1,2,4‑三羧酸(PBTCA)、六亚甲基二胺四(亚甲基膦酸)(HDTMP)、2‑羟基膦酰基乙酸(HPAA)、2‑羧基乙基膦酸(CEPA)、次膦酰基羧酸聚合物(PCA)、多氨基多醚亚甲基膦酸(PAPEMP)、2‑氨基乙基膦酸(AEPn)、N‑(膦酰基甲基)亚氨基二乙酸(PMIDA)、氨基三(亚甲基膦酸)(ATMP)、及其组合；且该羧酸选自：甘氨酸、氨基磺酸、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、柠檬酸、L‑半胱氨酸、乙醇酸、乙醛酸、及其组合，其中该有机碱为选自如下的季铵：氢氧化四甲基铵(TMAH)、氢氧化四乙基铵(TEAH)、氢氧化四丙基铵(TPAH)、氢氧化四丁基铵(TBAH)、氢氧化三(2‑羟乙基)甲基铵(THEMAH)、氢氧化十六烷基三甲基铵(CTAH)、胆碱、及其组合，和其中该铜蚀刻剂为选自如下的含N化合物：哌嗪、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇、2‑氨基‑1‑丁醇、3‑氨基‑1‑丙醇、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二亚乙基三胺、N‑甲基乙醇胺、N‑二(羟乙基)甘氨酸、三(羟甲基)氨基甲烷(Tris)、及其组合。