[发明专利]富勒烯衍生物和n型半导体材料有效

专利信息
申请号: 201480028347.5 申请日: 2014-05-16
公开(公告)号: CN105210205B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 永井隆文;足达健二;安苏芳雄;家裕隆;辛川诚 申请(专利权)人: 大金工业株式会社;国立大学法人大阪大学
主分类号: C07D209/58 分类号: C07D209/58;H01L51/46;C08K3/04;C08L65/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;王磊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99%以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料,[式中,环A表示C60富勒烯;R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基;且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基。]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(%)时,由下式定义:纯度(%)=100‑Dmax(%)式(1):
搜索关键词: 富勒烯 衍生物 半导体材料
【主权项】:
一种n型半导体材料,其特征在于:包含后述定义的纯度为99%以上的式(1)所示的富勒烯衍生物,式中,环A表示C60富勒烯;R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基;且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基,所述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(%)时,由下式定义:纯度(%)=100‑Dmax(%)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大金工业株式会社;国立大学法人大阪大学,未经大金工业株式会社;国立大学法人大阪大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480028347.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top