[发明专利]防护膜组件及含有其的EUV曝光装置有效
| 申请号： | 201480028625.7 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105229776B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 小野阳介;高村一夫 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/24;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;涂琪顺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种EUV透过性高且不易受到由热引起的损伤，进一步强度高的防护膜组件。为了达成所述课题而提供如下防护膜组件，其包括：波长550nm的光的折射率n为1.9～5.0的防护膜，以及贴附了所述防护膜的防护膜组件框。所述防护膜在组成中包含30摩尔％～100摩尔％的碳及0摩尔％～30摩尔％的氢。所述防护膜的拉曼光谱中的2D带与G带的强度比(2D带的强度/G带的强度)为1以下，或者2D带与G带的强度分别为0。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 组件 含有 euv 曝光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种防护膜组件，其包括波长550nm的光的折射率n为1.9～5.0的防护膜以及贴附了所述防护膜的防护膜组件框，所述防护膜在组成中包含30摩尔％～100摩尔％的碳以及0摩尔％～30摩尔％的氢，所述防护膜的拉曼光谱中的2D带与G带的强度比，即2D带的强度/G带的强度为1以下，或者2D带与G带的强度分别为0，所述防护膜包含马赛克扩散为5.0以下的石墨膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
