[发明专利]用于垂直磁力异向性薄膜的种子层有效
申请号: | 201480028737.2 | 申请日: | 2014-04-14 |
公开(公告)号: | CN105283974B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 森山贵広;王郁仁;童儒颖 | 申请(专利权)人: | 海德威科技公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/32;G11C11/16 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种形成具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构的方法、一种具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构和一种具有垂直磁力异向性的穿隧磁阻装置,其中,具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构是由具有不同晶体对称结构的材料以多层方式制作而成,其通过促进晶体匹配的种子层的使用来提供平滑过渡。在沉积结构上的层间界面,如氧化镁层和含铁铁磁层之间的界面会发生垂直磁力异向性,后续过程中,垂直磁力异向性将通过对称结构匹配种子层的方式传播到整个沉积结构的其余部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 垂直 磁力 向性 薄膜 种子 | ||
【主权项】:
一种形成具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构的方法,其特征在于,包含以下步骤:提供一薄膜沉积结构,该薄膜沉积结构具有一界面于一氧化镁层和一铁或含铁的铁磁层之间,其中一垂直磁力异向性发生于该界面;形成一多层薄膜结构于该界面上,其中该多层薄膜结构包含多个不同晶体对称结构的材料层;及形成一过渡层于具有不同晶体对称结构的每一材料层之间;其中该过渡层促进该多个不同晶体对称结构的材料层之间的匹配,从而使该PMA于整个该薄膜沉积结构内进行传播。
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