[发明专利]基片加工设备有效
申请号: | 201480028863.8 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN105473762B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | E·H·A·格兰尼曼;P·塔克 | 申请(专利权)人: | ASM国际股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;B65G51/03;C23C16/54;H01L21/677 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 乐洪咏,沙永生 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种基片加工设备(100),其包含具有下隧道壁(122)、上隧道壁(142)和两个侧向隧道壁(128)的加工隧道(102),所述隧道壁构造成用来限定出加工隧道空间(104),所述加工隧道空间在纵向运输方向(T)上延伸,并适合容纳至少一个平行于上下隧道壁(122,142)取向的基本上平坦的基片(180),所述加工隧道分成包含下隧道壁的下隧道体(120)和包含上隧道壁的上隧道体(140),所述隧道体(120,140)可沿着至少一个纵向延伸的接合部(160)以可分离的方式彼此接合,使得它们可在闭合形态与开放形态之间相互移动,其中在闭合形态中,隧道壁(122,128,42)限定出加工隧道空间(104),而开放形态能够提供通向加工隧道内部的侧向维护通道。 | ||
搜索关键词: | 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种基片加工设备(100),其包含:‑具有下隧道壁(122)、上隧道壁(142)和两个侧向隧道壁(128)的加工隧道(102),其中所述隧道壁构造成用来限定出加工隧道空间(104),所述加工隧道空间在纵向运输方向(T)上延伸,并适合容纳至少一个平行于上下隧道壁(122,142)取向的基本上平坦的基片(180);‑在所述下隧道壁和所述上隧道壁里提供的多个气体注入通道(124,144),其中下隧道壁里的气体注入通道(124)构造成用来提供下气体轴承(126),而上隧道壁里的气体注入通道(144)构造成用来提供上气体轴承(146),所述气体轴承构造成用来浮动支承所述基片(180),并将所述基片(180)容纳在所述气体轴承之间;以及‑多个排气通道(130),其设置在所述两个侧向隧道壁中,或者设置在上下隧道壁(122,142)中至少一个隧道壁里紧邻所述两个侧向隧道壁(128)的位置,其中各侧向隧道壁里的或者紧邻各侧向隧道壁的排气通道在运输方向上间隔开;其特征在于,所述加工隧道分成包含所述下隧道壁的下隧道体(120)和包含所述上隧道壁的上隧道体(140),所述隧道体(120,140)沿着至少一个纵向延伸的接合部(160)以可分离的方式彼此接合,使得它们可在闭合形态与开放形态之间相互移动,其中在闭合形态中,所述隧道壁(122,128,142)限定出加工隧道空间(104),而开放形态能够提供通向加工隧道内部的侧向维护通道,其中所述基片加工设备包含压力机(190)或至少一个夹具,用来迫使上下隧道体(120,140)沿着所述至少一个纵向延伸的接合部(160)接合在一起,以实现闭合形态。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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