[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201480029861.0 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105247666B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎浩次;荒木健 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K20/00;B23K35/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，将半导体元件与安装基板接合，所述半导体装置的特征在于，具备在形成于所述安装基板的第一Ag层和形成于所述半导体元件的第二Ag层之间挟持了的合金层，所述合金层具有由第一Ag层以及第二Ag层的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线从该合金层的外周侧延伸地配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
