[发明专利]阻气性膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201480030564.8 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105246683A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 伊藤博英 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B05D3/06;B05D7/24;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻气性膜，其可以更进一步提高阻气性能及阻气性能的耐久性。所述阻气性膜具有基材、第1阻隔层和第2阻隔层，所述第1阻隔层配置于所述基材的至少一面，膜密度为1.5～2.1g/cm3且含有无机化合物，所述第2阻隔层形成于所述基材的与形成有上述第1阻隔层的一侧相同侧的面，含有选自长周期式周期表的2～14族的元素中的至少1种(其中，不包括硅和碳)的添加元素、硅原子及氧原子，且氧原子相对于硅原子的存在比(O/Si)为1.4～2.2，氮原子相对于硅原子的存在比(N/Si)为0～0.4。 | ||
| 搜索关键词： | 气性 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻气性膜，其具有基材、第1阻隔层和第2阻隔层，所述第1阻隔层配置于所述基材的至少一面，膜密度为1.5～2.1g/cm3且含有无机化合物，所述第2阻隔层形成于所述基材的与形成有上述第1阻隔层的一侧相同侧的面，含有选自长周期式周期表的第2～14族的元素中的至少1种添加元素(其中不包括硅和碳)、硅原子及氧原子，且氧原子相对于硅原子的存在比(O/Si)为1.4～2.2，氮原子相对于硅原子的存在比(N/Si)为0～0.4。
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