[发明专利]离子植入机与控制其中离子束的系统有效

专利信息
申请号: 201480032406.6 申请日: 2014-05-02
公开(公告)号: CN105264634B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫;乔治·M·葛梅尔;理查·艾伦·斯普林克;诺曼·E·赫西;法兰克·辛克莱;常胜武;约瑟·C·欧尔森;大卫·罗杰·汀布莱克;库尔·T·岱可-路克 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/304 分类号: H01J37/304;H01J37/317
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 杨贝贝,臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种离子植入机与控制离子植入机中的离子束的系统,包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向,进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓,所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时,所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
搜索关键词: 离子 植入 控制 其中 离子束 系统
【主权项】:
一种在离子植入机中控制离子束的系统,包括:检测器,用于沿着垂直于所述离子束的传播方向的第一方向进行所述离子束的多个束电流量测;分析组件,用于基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓,所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化,且基于所述束电流轮廓来沿着所述第一方向计算所述束电流轮廓的斜率以及束高度;以及调整组件,用于在所述束电流轮廓指示所述束高度低于阀时,沿着所述第一方向调整所述离子束的所述束高度,且在判定到热点时,将所述离子束散焦。
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