[发明专利]离子操作方法和设备有效
| 申请号： | 201480032436.7 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105264637B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 戈登·A·安德森;理查德·D·史密斯;耶西娅·M·易卜拉欣;埃林·M·巴克尔 | 申请（专利权）人： | 巴特尔纪念研究院 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00;H01J49/04;H01J49/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 梁丽超,陈鹏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了离子操作方法和设备。该设备包括一对基本上平行的表面。该平行的表面之间包括内电极阵列，并且该内电极的阵列基本上沿各平行表面的长度方向延伸。该设备包括电极的第一外阵列和电极的第二外阵列。各电极阵列被定位于内电极的任一侧并被包含于表面中，并且基本上沿着各平行表面的长度方向延伸。将DC电压施加于电极的第一外阵列和电极的第二外阵列。通过对各电极施加DC电压而将具有叠加电场的RF电压施加于内电极。离子在离子限制区域内在平行表面之间移动或者沿电场的方向延伸或者可以被限制在离子限制区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 操作方法 设备 | ||
【主权项】：
一种离子操作设备，包括：a.一对表面；b.电极的阵列，耦接至所述表面，将RF电势施加于所述表面中的至少一个以产生抑制带电粒子接近所述表面中的任一个的赝势；和c.同时施加的DC电势，用于控制并限制离子在所述表面之间的移动，其中，所述电极的阵列包括至少两个内电极的阵列、第一外电极阵列和第二外电极阵列，其中，所述内电极的阵列和外电极的阵列均沿着各个表面的长度延伸，其中，所述至少两个内电极沿着各个表面的长度被定位为彼此直接相邻，其中，所述第一外电极阵列沿着各个表面的长度被定位在所述内电极的阵列的一侧并且所述第二外电极阵列沿着各个表面的长度被定位在所述内电极的阵列的另一侧。
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