[发明专利]基膜

摘要

本发明提供了一种基膜、一种积层体以及一种制备偏光膜的方法。本发明提供了一种能够有效地制备偏光膜的基膜、一种积层体以及一种制备偏光膜方法，所述偏光膜的厚度为约10μm以下、约8μm以下、约7μm以下、约6μm以下或约5μm以下，并具有优异的功能，例如偏光性能。根据本发明可以防止在延伸处理中产生撕裂或卷曲等，并且可以通过容易地延伸可偏光材料例如PVA类树脂而制备偏光膜。

主权项

一种积层体，其包含：一种满足下式1的可延伸基膜；以及形成在所述基膜的任一表面或两个表面上的可偏光材料层，其中所述基膜的伸长曲线的积分值A与所述可偏光材料层的伸长曲线的积分值B的差异A‑B的绝对值在1,500Nmm至10,000Nmm范围内：[式1]E/R≥5，其中，在式1中，E表示室温下测定的可延伸基膜的伸长率，单位：％，R表示恢复率，单位：％，所述恢复率的测定方法如下：通过将横向长度和纵向长度与基膜相同而厚度为30μm的聚乙烯醇膜粘贴到被切成横向长度为50mm、纵向长度为100mm的基膜的表面而制备的积层体在60℃的水中于纵向方向延伸5倍，从水中取出该积层体，剥离聚乙烯醇膜，将该积层体在室温保持1小时，测定所述基膜在纵向方向上的长度T，并将所测得的值代入式“100×(T‑A)/A”中来计算恢复率，其中，该式中的A为延伸之前所述基膜的纵向长度。