[发明专利]In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201480033152.X | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105283578B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 佐藤启一 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种In‑Ce‑O系溅镀靶材及其制造方法，上述In‑Ce‑O系溅镀靶材尽管包含可获得高折射率膜的以Ce/(In+Ce)原子比计为O.16～0.40的Ce，也可长时间地抑制结核或异常放电的产生。所述溅镀靶材是包含以氧化铟为主成分且含有铈的In‑Ce‑O系氧化物烧结体，且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用的In‑Ce‑O系溅镀靶材，上述溅镀靶材中Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In‑Ce‑O系氧化物烧结体中。 | ||
| 搜索关键词： | 溅镀靶材 氧化物烧结体 原子比 制造 高折射率膜 透明导电膜 氧化铈粒子 异常放电 氧化铟 折射率 粒径 | ||
【主权项】：
1.一种In‑Ce‑O系溅镀靶材，包含以氧化铟为主成分、且含有铈的In‑Ce‑O系氧化物烧结体，且在制造波长550nm下的折射率为2.1以上的透明导电膜时使用，所述In‑Ce‑O系溅镀靶材的特征在于：Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，并且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于所述In‑Ce‑O系氧化物烧结体中，进而所述In‑Ce‑O系氧化物烧结体的相对密度为95％以上，电阻率为7mΩ·cm以上且50mΩ·cm以下。
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