[发明专利]含硅材料、非水电解质二次电池用负极及其制造方法、以及非水电解质二次电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201480033827.0 | 申请日： | 2014-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN105283986B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吉川博树;加茂博道 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;C01B33/113;H01M4/131;H01M4/36 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种含硅材料，其能够掺杂锂和脱掺杂，当使用三极式电池来实行充放电，所述三极式电池采用将前述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、及锂离子导电性电解质而构成，在绘出利用以前述参考电极为基准的前述工作电极的电势V对充放电容量Q进行微分而得的微分值dQ/dV与前述电势V之间的关系的曲线图的情况下，在向前述含硅材料脱掺杂锂的方向流通电流的放电时，260mV～320mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值A与420mV～520mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值B的B/A比为2以下。由此，提供一种能够制造循环性高的二次电池的含硅材料、使用这种含硅材料的负极及非水电解质二次电池、以及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 水电 二次 电池 负极 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种含硅材料，其能够掺杂锂和脱掺杂，其特征在于，前述含硅材料是由通式SiOx所表示的氧化硅，并且，0.9≤x＜1.6，前述含硅材料施加有以碳为主体的导电性物质的皮膜，当使用三极式电池来实行充放电，所述三极式电池是采用将前述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、及锂离子导电性电解质而构成，在绘出利用以前述参考电极为基准的前述工作电极的电势V对充放电容量Q进行微分而得的微分值dQ/dV与前述电势V之间的关系的曲线图的情况下，在向前述含硅材料脱掺杂锂的方向流通电流的放电时，260mV～320mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值A与420mV～520mV之间的前述微分值dQ/dV的极大值B的B/A比为2以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480033827.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
