[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法有效
| 申请号： | 201480034262.8 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105308668B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 石崎守 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;G02F1/167;G09F9/00;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 戚宏梅,杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够抑制断线的影响且适于各种短路的修复并能减少修复后的显示差异的薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法。该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管(TFT)而构成，薄膜晶体管的结构为，在形成有栅电极、栅极布线、电容器电极及容器布线的绝缘基板上的与栅电极重叠的区域，经由栅极绝缘膜形成有具有包含半导体图案的间隙的源电极及漏电极，半导体图案被保护层覆盖，该TFT按照每1像素独立地形成有2个，各像素中的2个源电极与2根源极布线分别连接，2个漏电极经由单独的漏极连接电极与该各像素的电极连接，其中，具有将按照每1像素而形成的所述2个TFT的源电极彼此连接的源极连接电极，2根源极布线被施加相同的驱动波形。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 图像 显示装置 显示 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列，具有薄膜晶体管而构成，该薄膜晶体管的结构为，在形成有栅电极、与该栅电极连接的栅极布线、电容器电极以及与该电容器电极连接的电容器布线的绝缘基板上的与该栅电极重叠的区域，经由栅极绝缘膜形成有具有包含半导体图案的间隙的源电极和漏电极，该半导体图案被保护层覆盖，并且，该薄膜晶体管按照每1像素而独立地形成有2个，各像素中的2个源电极与2根源极布线分别连接，2个漏电极经由单独的漏极连接电极与该各像素的像素电极连接，具有将按照每1像素而形成的所述2个薄膜晶体管的源电极彼此连接的源极连接电极，所述2根源极布线被施加相同的驱动波形。
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