[发明专利]用于制造多个结构的工艺有效
| 申请号： | 201480034615.4 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105324840B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | D·朗德吕;O·科农丘克;C·古德尔;C·达维德;S·穆热尔;X·施奈德 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 该工艺包括下列步骤：a)提供适于接收多个结构(S)的腔室(10)，b)使气体流(F)在腔室(10)中循环，使得腔室(10)具有非氧化性气氛，c)在高于阈值的温度下对多个结构(S)进行热处理，在高于阈值的温度下，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层，与有源层的半导体材料反应，并生成挥发性材料；该方法的特征在于，步骤b)进行为使得气体流(F)在多个结构(S)之间的循环速度大于挥发性材料扩散进入气体流的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 结构 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造多个结构(S)的工艺，所述多个结构各相继包括衬底、包括氧化物的电介质以及包括半导体材料的有源层，所述工艺包括下列步骤：a)提供适于接收多个结构(S)的腔室(10)，b)使气体流(F)在腔室(10)中循环，使得腔室(10)具有非氧化性气氛，c)在高于阈值的温度下对多个结构(S)进行热处理，在高于阈值的温度下，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层，与有源层的半导体材料反应，并生成挥发性材料，所述工艺的特征在于：步骤b)和步骤c)进行为使得气体流(F)在多个结构(S)之间的循环的记为Vf的速率大于挥发性材料扩散进入气体流的记为Vd的速率，其中Vf/Vd≥100；步骤b)进行为使得气体流(F)在每个结构(S)的有源层附近循环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
