[发明专利]光刻方法和光刻系统有效

专利信息
申请号: 201480034718.0 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN105359038B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: A·尼基佩洛维;O·弗里吉恩斯;G·德弗里斯;E·鲁普斯特拉;V·巴尼内;P·德加格;R·唐克;H-K·尼恩海斯;B·克瑞金加;W·恩格伦;O·鲁伊藤;J·艾科曼斯;L·格里敏克;V·里特维南科 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种图案化光刻衬底的方法,该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA),其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。
搜索关键词: 光刻 方法 系统
【主权项】:
1.一种图案化光刻衬底的方法,所述方法包括使用自由电子激光器以产生EUV辐射并且输送所述EUV辐射至将所述EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备,其中所述方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路以监测所述自由电子激光器并相应地调整所述自由电子激光器的操作而减少输送至所述光刻衬底的EUV辐射的功率的波动,并且其中所述方法进一步包括施加可变衰减至已经由所述自由电子激光器输出的EUV辐射以便于进一步控制输送至所述光刻设备的EUV辐射的功率;其中所述光刻设备是接收所述EUV辐射的多个光刻设备中的一个;其中所述EUV辐射的所述可变衰减对于每个所述光刻设备是独立可控的。
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