[发明专利]n型有机半导体薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201480034764.0 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105308729B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 大谷直树 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;B05D7/24;B32B9/00;C07H15/203;H01L51/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供n型有机半导体薄膜的制造方法，其通过将含有式(1)所示的富勒烯衍生物的溶液在基材涂布、在450℃以上进行烧成来制造n型有机半导体薄膜，能够得到具有优选的电离电位，并且在成膜面具有微小的凹凸或细孔的n型有机半导体薄膜。(式中，R1～R5分别独立地表示氢原子、糖基、或糖基的任意羟基被取代基取代的糖基即取代糖基，R6表示碳原子数1～5的烷基。其中，R1～R5中至少1个为所述糖基或取代糖基。) |
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| 搜索关键词： | 有机半导体 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.n型有机半导体薄膜的制造方法，其特征在于，将含有式(1)所示的富勒烯衍生物的溶液在基材涂布、在450℃以上进行烧成，![]()
式中，R1～R5分别独立地表示氢原子、糖基、或糖基的任意羟基被取代基取代的糖基即取代糖基，R6表示碳原子数1～5的烷基，其中，R1～R5中的至少1个为所述糖基或取代糖基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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