[发明专利]用于转移电路层的工艺

摘要

本发明涉及一种用于转移隐埋电路层(2)的工艺。该工艺的特征在于，其包括下列步骤取得施主衬底(1，1’)，所述施主衬底在内部包括用于停止刻蚀的区域(7，7’)，并且所述施主衬底在其表面中被称为“前”侧的一个表面(12)覆盖有电路层(2)；在所述施主衬底的覆盖有电路层(2)的一侧，在所述施主衬底的整个圆周上形成外围凹槽(3)或进行外围加工(3’)，所述凹槽在距该衬底(1，1’)的横向边缘(13)一定距离处延伸，所述加工(3’)或所述凹槽(3)形成得足够深以完整穿过电路层(2)并且延伸进入施主衬底(1，1’)；在所述电路层(2)的暴露侧(21)上以及经加工表面(13’)上或所述凹槽(3)的壁上沉积被称为“第二停止层”的用于选择性地停止所述电路层(2)的刻蚀的材料层(4)，而不封堵所述凹槽(3)；在由所述第二停止层(4)覆盖的侧将受主衬底(5)结合至所述施主衬底(1，1’)；通过化学刻蚀施主衬底(1)的背侧(11)减薄施主衬底，直到达到所述用于停止刻蚀的区域(7，7’)，从而实现所述隐埋电路层(2)到所述受主衬底(5)的转移。

主权项

一种用于转移隐埋电路层(2)的工艺，其特征在于，该工艺包括下列步骤：‑取得施主衬底(1，1’)，所述施主衬底在内部包括刻蚀停止区(7，7’)，并且所述施主衬底在其被称为“前”侧的一侧(12)覆盖有电路层(2)，‑在所述施主衬底(1，1’)的覆盖有电路层(2)的一侧，在所述施主衬底(1，1’)的整个圆周上形成外围凹槽(3)或进行外围加工(3’)，所述外围凹槽在距该衬底(1，1’)的横向边缘(13)小于或等于5mm的距离(D1)处延伸，所述加工(3’)或所述凹槽(3)的深度形成为使得所述加工或所述凹槽完整穿过电路层(2)并且延伸进入施主衬底(1，1’)，‑在所述电路层(2)的暴露侧(21)上以及在经加工侧(13’)上或所述凹槽(3)的壁上沉积被称为“第二停止层”的停止材料层(4)，而不填满所述凹槽(3)，所述停止材料层对于所述电路层(2)的刻蚀是选择性的，‑在由所述第二停止层(4)覆盖的侧将受主衬底(5)结合至所述施主衬底(1，1’)，‑通过化学刻蚀施主衬底(1)的背侧(11)减薄施主衬底，直到达到所述刻蚀停止区(7，7’)，从而实现所述隐埋电路层(2)到所述受主衬底(5)的转移。