[发明专利]太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置有效
申请号: | 201480035248.X | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN105324850B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 告野元;野野垣光裕;小林淳二;大城裕介;川崎隆裕;唐木田昇市 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法,其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法,所述制造方法包含通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序;在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。 | ||
搜索关键词: | 太阳光 发电 装置 用基板 制造 方法 | ||
【主权项】:
太阳光发电装置用基板的制造方法,其特征在于,其是将半导体锭切片而将半导体基板切出后对所述半导体基板的表面实施表面处理来形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法,所述制造方法包含:用含有氧化性药剂的清洗液将附着于所述半导体基板的表面的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序;和在所述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液将所述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将通过所述切片产生了的基板表面的损伤层除去、且在所述半导体基板的表面形成所述纹理结构的蚀刻工序,所述清洗工序的清洗温度为55℃以上且不到100℃,所述含有氧化性药剂的清洗液为浓度0.01vol%以上且2.0vol%以下的过氧化氢水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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