[发明专利]背面照射型图像传感器、成像装置和电子设备有效
申请号: | 201480036251.3 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN105340079B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 萩田忠弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种包括基板和具有多个成像元件的成像元件层的装置,其中所述成像元件层位于所述基板和具有多根配线(41)的配线层之间,并且所述配线层的配线配置在构造成接收波长比预定波长(B,G)小的光的像素区域(Z)中。因此,通过使所述配线层在整个成像元件层上更均匀地分布,可以降低在抛光膜上产生的不均匀性。另外,因为配线没有设置在构造成接收波长比预定波长(R)大的光的像素区域(Z)中,所以可以减小凹凸。 | ||
搜索关键词: | 背面 照射 图像传感器 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:基板;和具有多个成像元件的成像元件层,所述成像元件层位于所述基板和具有多根配线的配线层之间,其中所述配线层的配线配置在构造成接收波长比预定波长小的光的像素区域中,其中所述配线层的配线没有配置在构造成接收波长比预定波长大的光的像素区域中,并且其中所述配线层的最上层的配线在所述配线层内分布使得配线密度基本上均匀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480036251.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的