[发明专利]铜露出基板的清洗方法和清洗系统有效
| 申请号： | 201480036472.0 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN105340067B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 矢野大作;村山雅美;山下幸福;山中弘次 | 申请（专利权）人： | 奥加诺株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B01J31/08;C02F1/20;C02F1/32;C02F1/68 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在该铜露出基板的清洗方法中，设置有紫外线氧化装置的子系统的水出口和各基板处理装置的水入口经由主配管连接。过氧化氢除去装置(2)配置在子系统的紫外线氧化装置与非再生型离子交换装置之间。另外，二氧化碳供给装置(4)配置在从子系统的水出口分支至到达基板处理装置(1)的配管(3)的途中。过氧化氢除去装置(2)填充有铂族系金属催化剂。作为该构成的结果，通过紫外线氧化装置的超纯水用作基质以制造溶解在其中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且将二氧化碳添加至其中以将电阻率调节为在0.03‑5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水，并且碳酸水用于清洗设置在基板处理装置(1)内并且至少铜或铜化合物在表面上露出的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线氧化装置 基板处理装置 基板 清洗 除去装置 过氧化氢 水出口 碳酸水 二氧化碳供给装置 二氧化碳添加 离子交换装置 过氧化氢的 金属催化剂 清洗系统 铜化合物 超纯水 电阻率 水入口 再生型 主配管 铂族 基质 配管 配置 与非 填充 溶解 制造 | ||
【主权项】：
1.一种铜露出基板的清洗方法，其包括：用溶解在水中的过氧化氢的浓度限于2μg/L以下并且添加二氧化碳以将电阻率调节在0.03至5.0MΩ·cm的范围内的碳酸水清洗至少铜或铜化合物在表面上露出的基板，所述铜露出基板的清洗方法进一步包括将溶解的氧的浓度限于6μg/L以上且130μg/L以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
