[发明专利]控制光学设备中的电吸收介质的组成有效

专利信息
申请号: 201480037639.5 申请日: 2014-07-02
公开(公告)号: CN105452943B 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: J.方;钱伟;冯大增;M.阿斯哈里 申请(专利权)人: 迈络思科技硅光股份有限公司
主分类号: G02F1/017 分类号: G02F1/017;G02B6/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 佘鹏;肖日松
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 形成光学设备包括在设备前体的基底上的各种不同区域中生长电吸收介质。所述区域包括部件区域,并且所述区域被选择,从而使包括在所述部件区域中的所述电吸收介质获得特定的化学组成。在所述设备前体上形成光学部件,使得所述光学部件包括来自所述部件区域的所述电吸收介质的至少一部分。在所述部件的操作期间,光信号被导引通过来自所述部件区域的所述电吸收介质。
搜索关键词: 控制 光学 设备 中的 吸收 介质 组成
【主权项】:
1.一种光学设备,包括:基底上的电吸收介质的多个不同的区域;所述区域包括部件区域,所述部件区域被包括在位于所述基底上的光学部件中,使得在所述光学部件的操作期间光信号被导引通过来自所述部件区域的电吸收介质;并且所述区域还包括虚设区域,所述虚设区域不是所述基底上的所述光学部件的功能部分并且也不是所述基底上的任何其他部件的功能部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迈络思科技硅光股份有限公司,未经迈络思科技硅光股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480037639.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top