[发明专利]TixSi1-xN层及其制造有效
| 申请号： | 201480037761.2 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105392911B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 徳尼斯·库拉珀夫;西格弗里德·克拉斯尼策尔 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 何志欣 |
| 地址： | 瑞士普*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有涂层的工件，该涂层包含至少一个TixSi1‑xN层，其特征是，x≤0.85并且所述TixSi1‑xN层包含纳米晶，所包含的纳米晶具有不大于15nm的平均粒度和(200)织构。本发明还涉及用于制造上述层的方法，其特征是，为了制造而采用溅射法，其中在溅射靶的靶表面上出现大于0.2A/cm2的电流密度，该靶是TixSi1‑x靶，其中x≤0.85。最好在TixSi1‑xN层和工件基材体之间设有含有TiAlN或CrAlN的中间层。 | ||
| 搜索关键词： | tixsi1 xn 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种对工件涂覆涂层的方法，该涂层包括至少一个TixSi1‑xN层，其中，x≤0.85，并且其中，TixSi1‑xN层包含纳米晶，所包含的纳米晶具有不大于15nm的平均粒度，其中，如果只考虑金属元素的话，x是按照at％表示的钛浓度，其特征是，为了制造所述TixSi1‑xN层而采用溅射方法，其中，采用至少一个第一靶TixSi1‑x作为溅射靶，其中，按照原子％，x≤0.85，并且其中，在该溅射靶的靶表面上出现至少0.2A/cm2的电流密度，还采用成分为TizSi1‑z的第二靶，其中0≤z≤1，但z不等于x，即含Ti和Si的第一靶和第二靶的组成是不同的，并且(x+z)/2≤0.85，因而制造出硅含量≥15原子％的层，其中，在所述TixSi1‑xN层与工件的基材体之间设有含有TiAlN或CryAl1‑yN的中间层，其中，如果只考虑金属元素的话，y给出了按照at％表示的铬浓度，其中，在所述TixSi1‑xN层与所述中间层之间设有过渡层，并且该过渡层是借助共溅射来制造的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔，未经欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480037761.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
