[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具有形成于主体区域内部并与主体区域电连接的第二导电型的背栅电极，进行从漏极区域向源极区域和从源极区域向漏极区域的双向的电流控制，背栅电极的薄膜电阻值小于主体区域的薄膜电阻值，源极区域和漏极区域以即使对源极区域和漏极区域之间施加最大动作电压时在源极区域和背栅电极之间也不产生击穿现象的间隔配置。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的半导体基板，其成为漏极区域；漂移区域，形成于漏极区域之上；第二导电型的主体区域，形成于所述漂移区域的上部；第一导电型的源极区域，形成于所述主体区域的上部；沟槽，贯通所述源极区域和所述主体区域而到达所述漂移区域；绝缘膜，形成于所述沟槽的内壁；栅极电极，形成于所述绝缘膜的内侧；以及第二导电型的背栅电极，形成于所述主体区域的内部，而且与所述主体区域电连接，在对所述漏极区域施加第1电压、对所述源极区域和所述主体区域施加比所述第1电压低的电压即第2电压、而且对所述栅极电极和所述源极区域之间施加第1阈值以上的第3电压时，电流从所述漏极区域流向所述源极区域，在对所述源极区域施加所述第1电压、对所述漏极区域和所述主体区域施加所述第2电压、而且对所述栅极电极和所述漏极区域之间施加第2阈值以上的第4电压时，电流从所述源极区域流向所述漏极区域，所述背栅电极的薄膜电阻值小于所述主体区域的薄膜电阻值，所述源极区域和所述背栅电极以如下间隔配置，该间隔是即使对所述源极区域和所述漏极区域之间施加最大动作电压时，在所述源极区域和所述背栅电极之间也不产生击穿现象的间隔。