[发明专利]微机电系统(MEMS)结构以及设计结构有效
| 申请号： | 201480039634.6 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105378936B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | A·K·斯坦普 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭露为微机电系统(Micro‑Electro‑Mechanical System；MEMS)结构、制造方法以及设计结构。该方法包括形成从设于腔体结构内的微机电系统(MEMS)横梁结构延伸的缓冲器。该方法还包括在与该MEMS横梁相对的该腔体结构的一侧上形成伪着陆结构，当该MEMS横梁处于非制动状态时，该伪着陆结构横向偏离该缓冲器。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 mems 结构 以及 设计 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：形成从设于腔体结构内的微机电系统横梁结构延伸的缓冲器；以及在与该微机电系统横梁相对的该腔体结构的一侧上形成伪着陆结构，当该微机电系统横梁处于非制动状态时，该伪着陆结构沿水平方向横向偏离该缓冲器，以及当该微机电系统横梁处于制动状态时，该缓冲器着陆于该伪着陆结构上。
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