[发明专利]外延反应器有效
申请号: | 201480040741.0 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN105393335B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 金寅谦 | 申请(专利权)人: | LG矽得荣株式会社 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 李丹丹 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一实施例包括反应腔室;基座,该基座定位在反应腔室中以使得晶片坐落在基座上;以及气体流控制器,该气体流动控制器用于控制流入到反应腔室中的气体流动,其中,该气体流动控制器包括注射帽,该注射帽具有多个出口用以分开气体流动;注射缓冲器,该注射缓冲器包括分别与多个出口相对应的第一通孔,且这些第一通孔允许从多个出口排出的气体通过,以及挡板,该挡板包括分别与第一通孔相对应的第二通孔,且该第二通孔允许已流过第一通孔的气体通过,并且每个第一通孔所具有的面积大于每个第二通孔的面积并且小于每个出口的面积。 | ||
搜索关键词: | 外延 反应器 | ||
【主权项】:
一种外延反应器,包括:反应腔室;基座,所述基座位于所述反应腔室中以使得晶片坐落在所述基座上;以及气体流动控制器,所述气体流动控制器用于控制引入到所述反应腔室中的气体流动,其中,所述气体流动控制器包括:注射帽,所述注射帽具有多个出口用以分开所述气体流动;注射缓冲器,所述注射缓冲器具有与相应的出口相对应的第一通孔,以使得从所述出口排出的气体流过所述第一通孔;以及挡板,所述挡板具有与相应的第一通孔相对应的第二通孔,以使得流过所述第一通孔的气体流过所述第二通孔,以及其中所述注射帽包括形成在所述注射帽的一个表面中的空腔,且所述空腔由侧壁和底部构成;以及所述注射帽的另一表面和所述空腔的底部之间的空间分隔成所述注射帽的第一至第三部分,且所述注射帽的所述第一至第三部分彼此隔离,以及其中所述出口设置在所述空腔的底部中,且所述注射缓冲器和所述挡板按序地插入到所述空腔中以使得所述第一和第二通孔面向所述空腔的底部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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