[发明专利]硅IMPATT二极管

摘要

在所描述的示例中，垂直IMPATT二极管(300)在标准平面模拟工艺流程中被制造。

主权项

一种在标准平面模拟工艺流程中制造的垂直IMPATT二极管，其包括：衬底，所述衬底包括p型单晶硅；接触所述衬底的顶部表面的n型掩埋层；接触所述n型掩埋层的顶部表面的未掺杂层；深沟槽，其向下延伸至所述衬底并完全围绕所述IMPATT二极管且使所述二极管与模拟电路中的其余元件分开；覆盖晶圆的顶部表面的浅沟槽层，其中开口被包括以提供所述IMPATT二极管的P⁺⁺和N⁺⁺区域；n阱，其延伸通过所述浅沟槽层中的所述P⁺⁺开口至所述未掺杂层并接触所述n型掩埋层的所述顶部表面；深n+区域，其通过浅沟槽结构与所述n阱部分地分开，其中所述深n+区域延伸通过所述浅沟槽层中的所述N⁺⁺开口至所述未掺杂层接触所述n型掩埋层的所述顶部表面；接触所述n阱的顶部的材料层，其选自高掺杂p+硅、p+型SiGe、n+硅上高掺杂p+硅的复合层、n型SiGe上高掺杂p+硅的复合层或n型SiGe上p型SiGe的复合层的群组；以及欧姆接触，其通过第一中间级介电材料彼此分开，并且分别接触所述高掺杂n+层和接触所述n阱的所述顶部的所述材料层。