[发明专利]磁光材料及其制造方法以及磁光器件有效
| 申请号： | 201480040902.6 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105378542B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 碇真宪 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28;C01F17/00;C04B35/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁光材料，其不吸收波段0.9～1.1μm的光纤激光，不引起热透镜的产生，维尔德常数大于TGG晶体，适合于构成光隔离器等磁光器件，其包含含有以由下述式(1)表示的稀土氧硫化物作为主成分的透明陶瓷、或者由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的单晶，在波长1064nm处的维尔德常数为0.14min/(Oe·cm)以上。(TbxR1‑x)2O2S(1)(式中，x为0.3以上且小于1，R为选自钇、镥、钆、钬、钪、镱、铕、镝中的至少一种稀土元素)。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 及其 制造 方法 以及 器件 | ||
【主权项】：
磁光材料，其特征在于，包含：由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的烧结体的透明陶瓷、或者由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的单晶，波长1064nm处的维尔德常数为0.14min/(Oe·cm)以上，(TbxR1‑x)2O2S (1)，式中，x为0.3以上且小于1，R为选自钇、镥、钆、钬、钪、镱、铕、镝中的至少一种稀土元素。
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