[发明专利]导电性糊剂以及结晶系硅太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201480041741.2 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105409009A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 高桥哲;斋藤元希 | 申请（专利权）人： | 纳美仕有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;C03C3/14;C03C8/16;C03C8/18;H01B1/16;H01B1/22;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种导电性糊剂，其在对结晶系硅基板的表面形成电极时，能够形成良好的电接触的电极。本发明的导电性糊剂包含导电性粉末、复合氧化物、和有机媒质，复合氧化物包含氧化钼、氧化硼和氧化铋。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 以及 结晶 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性糊剂，其是包含导电性粉末、复合氧化物、和有机媒质的导电性糊剂，复合氧化物包含氧化钼、氧化硼和氧化铋。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
