[发明专利]具有增强安全性的掩模编程式只读存储器有效
| 申请号： | 201480042490.X | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105453181B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | S·S·尹;C·郑;E·特泽格鲁;S·M·米轮多夫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C17/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩模编程式只读存储器(MROM)具有多个列线对，每一列线对具有位线和补位线。MROM包括多个存储器单元，该多个存储器单元对应于在列线对与多个字线之间的多个交叉。每一存储器单元包括高Vt晶体管和低Vt晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 安全性 掩模编 程式 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种掩模编程式ROM，包括：列线对，所述列线对包括位线和补位线；多个存储器单元，其中每一存储器单元包括晶体管对，所述晶体管对包括耦合至所述位线的第一晶体管以及耦合至所述补位线的第二晶体管，其中每一第一晶体管的漏极耦合到所述位线并且每一第二晶体管的漏极耦合到所述补位线并且其中对于每一晶体管对，所述第一晶体管和所述第二晶体管之一是低阈值电压晶体管并且所述第一晶体管和所述第二晶体管中的剩下一个晶体管是高阈值电压晶体管；第一PMOS晶体管，其栅极耦合至所述补位线并且漏极耦合至所述位线；第二PMOS晶体管，其栅极耦合至所述位线并且漏极耦合至所述补位线；保持器器件对，所述保持器器件对被配置成通过对所述位线和所述补位线进行微弱充电来降低跨所述列线对的共模压降。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480042490.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：塑料太阳能染料电池
- 下一篇：光学介质再现装置及光学介质再现方法
