[发明专利]具有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管的显示器有效
申请号: | 201480042830.9 | 申请日: | 2014-08-11 |
公开(公告)号: | CN105408813B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 张世昌;洪铭钦;余承和;常鼎国;A·嘉姆史迪罗德巴里;林上智;金景旭;黄俊尧;李思贤;陈右铮;大泽裕史;朴英培;V·古普塔;林敬伟;崔宰源;蔡宗廷 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;H01L27/32;G09F9/00;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种电子设备,该电子设备可包括具有位于基板上的显示器像素阵列的显示器。显示器像素可以是有机发光二极管显示器像素或液晶显示器中的显示器像素。在有机发光二极管显示器中,可形成包括半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构的混合薄膜晶体管结构。电容器结构可与半导体氧化物薄膜晶体管重叠。有机发光二极管显示器像素可具有氧化物和硅晶体管的组合。在液晶显示器中,显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路,并且显示器像素可基于氧化物薄膜晶体管。在形成硅晶体管栅极和氧化物晶体管栅极的过程中可使用单个栅极金属层或两个不同的栅极金属层。硅晶体管可具有与浮栅结构重叠的栅极。 | ||
搜索关键词: | 具有 薄膜晶体管 半导体 氧化物 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种显示器,包括:基板;位于所述基板上的显示器像素阵列;由位于所述基板上的薄膜晶体管形成的显示驱动器电路,其中所述显示驱动器电路包括硅薄膜晶体管,并且其中所述显示器像素阵列包括至少一个半导体氧化物薄膜晶体管;和第一栅极金属层,所述第一栅极金属层被图案化以形成所述硅薄膜晶体管的栅极和所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的栅极;第二金属层,所述第二金属层形成所述至少一个半导体氧化物薄膜晶体管的源极‑漏极触点;第三金属层,所述第三金属层形成耦接至所述源极‑漏极触点中的至少一个源极‑漏极触点的结构;第一电介质层,所述第一电介质层被插置在所述第二金属层和所述第三金属层之间;第四金属层,所述第四金属层包括显示像素电极;第五金属层,所述第五金属层包括公共电极;以及第二电介质层,所述第二电介质层被插置在所述第三金属层和第四金属层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苹果公司,未经苹果公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480042830.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种伺服驱动平行开关
- 下一篇:一种高抗压强度稳定污泥