[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201480042959.X | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105453236B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 吉田亮一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B82Y40/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;李炬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，该处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对地配置的、载置被处理体的第二电极。该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对通过包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有上述第一聚合物和上述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去上述第一聚合物和上述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，所述处理室包括：第一电极；和与所述第一电极相对配置的、载置被处理体的第二电极，所述蚀刻方法的特征在于，包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有所述第一聚合物和所述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去所述第一聚合物和所述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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