[发明专利]通过改善的SiGe刻面改善硅化物形成有效

专利信息
申请号: 201480043691.1 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN105453264B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 沙尚克·S·埃克布特;林关勇;埃比尼泽·伊舒;崔尹升 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L21/336
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在所描述的实例中,集成电路(100)包含半导体材料(104)。第一栅极结构(108)包含栅极电介质层(112)及栅极(114)。第二栅极结构(118)包含未与场氧化物(106)的侧壁(142)重叠的栅极(122)。SiGe源极/漏极区域(138)介于所述第一及第二栅极结构(108、118)之间,使得顶沿(140)自所述半导体材料(104)的顶面延伸不超过所述SiGe源极/漏极区域(138)的深度的三分之一。电介质间隔件(124、152)与所述栅极(122)的侧面相邻,延伸到所述SiGe源极/漏极区域(138)上。接触件(160)介于所述第一及第二栅极结构(108、118)之间,使得所述接触件(160)的底部的至少一半直接接触所述SiGe源极/漏极区域(138)上的金属硅化物(156)。
搜索关键词: 源极/漏极区域 栅极结构 半导体材料 接触件 电介质间隔件 栅极电介质层 金属硅化物 场氧化物 硅化物 延伸 侧壁 顶面 顶沿 刻面 集成电路 侧面
【主权项】:
1.一种集成电路,其包括:衬底,其包含延伸到所述衬底的顶面的半导体材料;被安置在所述衬底中的场氧化物;所述半导体材料上方靠近所述场氧化物的第一栅极结构,所述第一栅极结构包含:所述半导体材料上方的栅极电介质层;及所述第一栅极结构的所述栅极电介质层上的栅极;所述场氧化物上方的第二栅极结构,所述第二栅极结构包含在所述第二栅极结构的所述栅极电介质层上的栅极,使得所述第二栅极结构的所述栅极不与所述场氧化物的侧壁重叠;所述衬底中的硅锗源极/漏极区域,其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,所述源极/漏极区域具有相对于所述衬底的所述顶面而倾斜的顶面,使得所述硅锗源极/漏极区域与所述场氧化物之间的边界的顶沿自所述衬底的所述顶面延伸不超过所述硅锗源极/漏极区域的深度的三分之一;与所述第二栅极结构的所述栅极的侧面相邻的电介质间隔件,其延伸到所述硅锗源极/漏极区域上;所述硅锗源极/漏极区域上的金属硅化物;及接触件,其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,使得所述接触件的底部的至少一半直接接触所述硅锗源极/漏极区域上的所述金属硅化物。
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