[发明专利]通过改善的SiGe刻面改善硅化物形成有效
申请号: | 201480043691.1 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN105453264B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 沙尚克·S·埃克布特;林关勇;埃比尼泽·伊舒;崔尹升 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/336 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在所描述的实例中,集成电路(100)包含半导体材料(104)。第一栅极结构(108)包含栅极电介质层(112)及栅极(114)。第二栅极结构(118)包含未与场氧化物(106)的侧壁(142)重叠的栅极(122)。SiGe源极/漏极区域(138)介于所述第一及第二栅极结构(108、118)之间,使得顶沿(140)自所述半导体材料(104)的顶面延伸不超过所述SiGe源极/漏极区域(138)的深度的三分之一。电介质间隔件(124、152)与所述栅极(122)的侧面相邻,延伸到所述SiGe源极/漏极区域(138)上。接触件(160)介于所述第一及第二栅极结构(108、118)之间,使得所述接触件(160)的底部的至少一半直接接触所述SiGe源极/漏极区域(138)上的金属硅化物(156)。 | ||
搜索关键词: | 源极/漏极区域 栅极结构 半导体材料 接触件 电介质间隔件 栅极电介质层 金属硅化物 场氧化物 硅化物 延伸 侧壁 顶面 顶沿 刻面 集成电路 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,其包括:衬底,其包含延伸到所述衬底的顶面的半导体材料;被安置在所述衬底中的场氧化物;所述半导体材料上方靠近所述场氧化物的第一栅极结构,所述第一栅极结构包含:所述半导体材料上方的栅极电介质层;及所述第一栅极结构的所述栅极电介质层上的栅极;所述场氧化物上方的第二栅极结构,所述第二栅极结构包含在所述第二栅极结构的所述栅极电介质层上的栅极,使得所述第二栅极结构的所述栅极不与所述场氧化物的侧壁重叠;所述衬底中的硅锗源极/漏极区域,其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,所述源极/漏极区域具有相对于所述衬底的所述顶面而倾斜的顶面,使得所述硅锗源极/漏极区域与所述场氧化物之间的边界的顶沿自所述衬底的所述顶面延伸不超过所述硅锗源极/漏极区域的深度的三分之一;与所述第二栅极结构的所述栅极的侧面相邻的电介质间隔件,其延伸到所述硅锗源极/漏极区域上;所述硅锗源极/漏极区域上的金属硅化物;及接触件,其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间,使得所述接触件的底部的至少一半直接接触所述硅锗源极/漏极区域上的所述金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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