[发明专利]用于通过电磁辐射将结构从衬底分离的方法、堆叠和组件有效
申请号: | 201480043709.8 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN105453226B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | Y·桑坎;J-M·贝图;O·科农丘克 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L31/0687;H01L33/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 该方法包括下列步骤:a)提供衬底(2),b)在衬底(2)上形成吸收性的分离层(3),c)在分离层(3)上形成待分离的结构(1),d)通过衬底(2)使分离层(3)暴露于电磁辐射(IE),使得分离层(3)在吸收所导致的热量的影响下分解,该方法的特征在于,其包括在分离层(3)上形成热障层(4)的步骤b1),暴露时长和热障层(4)的厚度被调节为,使得待分离的结构(1)的温度在整个暴露期间保持在阈值之下,超过所述阈值时在所述结构(1)中容易出现缺陷。 | ||
搜索关键词: | 分离层 衬底 电磁辐射 热障层 暴露 衬底分离 吸收性 阈值时 堆叠 时长 分解 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种通过属于一定的光谱范围的电磁辐射将结构(1)从衬底(2)分离的方法,该分离方法具有下列步骤:a)提供衬底(2),该衬底(2)在所述光谱范围中是透明的,b)在衬底(2)上形成至少一个分离层(3),将该电磁辐射的光谱范围调整为使得分离层(3)在所述光谱范围中是吸收性的,b1)在分离层(3)上形成热障层(4),电磁辐射的光谱范围被调整为使得热障层(4)在所述光谱范围中是透明的,c)在热障层(4)上形成待分离的结构(1),d)在给定功率密度下在暴露时段期间,使分离层(3)通过衬底(2)暴露于电磁辐射,使得分离层(3)在所述电磁辐射的吸收所导致的热量的影响下分解,该分离方法的特征在于,电磁辐射是电磁脉冲,并且暴露时段和热障层(4)的标记为E1的厚度:‑被调整为使得待分离的结构(1)的温度在暴露时段期间保持在阈值之下,在超过所述阈值时在所述结构(1)中会易于出现缺陷,‑符合下述关系:
其中,D1是热障层(4)的热扩散系数,τ是电磁脉冲的持续时间。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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