[发明专利]垂直铁电场效晶体管构造有效
申请号: | 201480044580.2 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN105453267B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 卡迈勒·M·考尔道;钱德拉·穆利;古尔特杰·S·桑胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/1159 | 分类号: | H01L27/1159;H01L27/11514;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11597;H01L27/11585;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/786;H01L29/51;H01L29/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁,所述过渡金属二硫属化物材料为:a)从所述导电栅极材料立面向内,或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。 | ||
搜索关键词: | 垂直 电场 晶体管 构造 包括 一对 侧向 相对 | ||
【主权项】:
1.一种垂直铁电场效晶体管构造,其包括:隔离芯;过渡金属二硫属化物材料,其围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度;铁电栅极电介质材料,其围绕所述过渡金属二硫属化物材料;导电栅极材料,其围绕所述铁电栅极电介质材料,所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸;及导电接触件,其直接抵靠a)从所述导电栅极材料立面向内或b)从所述导电栅极材料立面向外延伸的所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480044580.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的