[发明专利]半导体结构和制造半导体结构的方法

摘要

半导体结构可包含：交替电介质材料和控制栅极的堆叠；电荷存储结构，其侧向邻近于所述控制栅极；电荷阻挡材料，其在所述电荷存储结构中的每一者与所述邻近控制栅极之间；以及沟道材料，其延伸通过交替电介质材料和控制栅极的所述堆叠。所述堆叠中的所述电介质材料中的每一者具有至少两个不同密度和/或不同移除速率的部分。还揭示制造此类半导体结构的方法。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：形成交替电介质材料和控制栅极材料的堆叠，所述堆叠的所述电介质材料中的每一者包括经调配以在暴露于相同蚀刻化学过程时具有不同移除速率的至少两个材料部分；形成通过交替电介质材料和控制栅极材料的所述堆叠的开口；移除所述控制栅极材料的部分以形成邻近所述控制栅极材料的控制栅极凹陷部；移除邻近所述控制栅极凹陷部的所述电介质材料的部分以增大所述控制栅极凹陷部的高度；形成邻近所述控制栅极材料的暴露表面的电荷阻挡材料；以及使用电荷存储材料填充所述控制栅极凹陷部以形成电荷存储结构,其中所述电荷存储结构中的每一者具有与邻近的所述控制栅极材料实质上相同的高度。