[发明专利]半导体元件衬底及其制造方法在审
| 申请号： | 201480044667.X | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105453250A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 冈本朋昭;柳雅彦;川上知巳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761;H01L21/22;H01L21/265;H01L29/74;H01L29/747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能够以不损害应对晶片破裂的强度的方式缩短形成隔离区域的扩散时间。在晶片两面分别沿着相互相邻的半导体器件间的划线(SL)不连续且间断地排列配置多个圆形孔(4a、4b)，在多个圆形孔(4a、4b)的周围，元件分离用的一种导电型(这里为P型)的隔离扩散层(5a、5b)分别形成为从晶片两面到达深度方向中央部，至少一部分在相邻孔之间和上下底面之间相互重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件衬底，其特征在于：呈矩阵状地配置有多个半导体器件，沿着相互相邻的半导体器件间的划线不连续地配置有多个孔，在该多个孔的周围分别形成有元件分离用的隔离扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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