[发明专利]半导体薄膜制造中的变频微波(VFM)工艺及应用有效
申请号: | 201480044915.0 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN105453227B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 柯昌;欧岳生;洛克·元朗·黄;阿南塔克里希纳·朱普迪;格伦·T·莫里;阿克塞尔·基托维斯基;阿尔卡吉特·罗伊·巴曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文描述了用于处理基板的方法及设备。真空多腔室沉积工具可包括具有加热机构及变频微波源两者的脱气腔室。本文所述的方法使用变频微波辐射以在不损害各部件的情况下提高脱气工艺的质量及速度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 薄膜 制造 中的 变频 微波 vfm 工艺 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基板的方法,所述方法包括以下步骤:将基板定位在物理气相沉积腔室中,所述基板包括第一表面;在所述基板的所述第一表面上沉积未固化层,所述未固化层包含聚合物、环氧树脂、或上述两者的组合;及执行所述未固化层的硬固化,所述硬固化包括以下步骤:将至少所述未固化层加热至脱气温度,所述脱气温度低于用于所述未固化层的硬固化温度;将所述物理气相沉积腔室设定至硬固化压力,所述硬固化压力低于100毫托;将微波辐射的来源导向所述未固化层,所述微波辐射的来源在选自小于7GHz的频率范围的频率下产生微波辐射;及在变频下从所述微波辐射的来源将所述微波辐射传递至所述未固化层以将所述未固化层加热至所述硬固化温度,以产生固化层,所述变频包括选自所述频率范围的两个或更多个频率,所述变频在一时间段内变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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